Моя заявка (0)

AOSP66920, Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; полевой; 100В; 13,5А; 3,1Вт; SO8

AOSP66920, Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; полевой; 100В; 13,5А; 3,1Вт; SO8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8039023855
Артикул
AOSP66920
Бренд
Alpha & Omega
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 407 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 100 В 13,5 А (Ta) 3,1 Вт (Ta) для поверxностного монтажа 8-SOIC

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.1
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-SOIC(0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Power Dissipation (Pd)3.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)3.1W(Ta)
Supplier Device Package8-SOIC
Total Gate Charge (Qg@Vgs)50nC@10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.5nF
Continuous Drain Current (Id)13.5A
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2500 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13.5A(Ta)
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)13pF
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)8.5mΩ@10V, 13.5A

Техническая документация