Моя заявка (0)

AOSP21321, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -8,5А, 2Вт, SO8

AOSP21321, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -8,5А, 2Вт, SO8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017543895
Артикул
AOSP21321
Бренд
Alpha & Omega
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
±25V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
0.13
Цена по запросу
(от 28,69 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -8,5А, 2Вт, SO8

Технические параметры

FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±25V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.13
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-SOIC(0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Power Dissipation (Pd)3.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 11A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)3.1W(Ta)
Supplier Device Package8-SOIC
Total Gate Charge (Qg@Vgs)34nC@10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.18nF@15V
Continuous Drain Current (Id)11A
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1180 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A(Ta)
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)155pF@15V
Пороговое напряжение на затворе2.3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)14mΩ@10V, 11A

Техническая документация