Моя заявка (0)

AONR36366, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 34А, 11Вт, DFN8 3x3мм

AONR36366, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 34А, 11Вт, DFN8 3x3мм

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017544858
Артикул
AONR36366
Бренд
Alpha & Omega
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 42,28 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 30 В, 30 А (Ta), 34 А (Tc), 5 Вт (Ta), 28 Вт (Tc) для поверxностного монтажа 8-DFN-EP (3x3)

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 20A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)5W(Ta), 28W(Tc)
Supplier Device Package8-DFN-EP(3x3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1835 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A(Ta), 34A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе2.1V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А34
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5mΩ@20A, 10V

Техническая документация