Моя заявка (0)

AONR21321, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -20А, 9,6Вт, DFN3x3

AONR21321, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -20А, 9,6Вт, DFN3x3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017544863
Артикул
AONR21321
Бренд
Alpha & Omega
Type
P Channel
FET Type
P-Channel
Military
No
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 25,12 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

30 В 24 А 16.5mOhm@12A,10V 2.3V@250uA P-канальные полевые транзисторы DFN-8(3x3) ROHS

Технические параметры

TypeP Channel
FET TypeP-Channel
MilitaryNo
MountingSurface Mount
PolarityP
PackagingTape and Reel
Pin Count8
Vgs (Max)±25V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.12
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeDFN EP
Rad HardenedNo
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerVDFN
Supplier PackageDFN EP
Power Dissipation4.1(W)
Number of Elements1
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA
Drain-Source On-Volt30(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Power Dissipation (Pd)3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs16.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max)4.1W(Ta), 24W(Tc)
Supplier Device Package8-DFN-EP(3x3)
Continuous Drain Current13(A)
Gate-Source Voltage (Max)±25(V)
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.75nF
Continuous Drain Current (Id)50A
Operating Temperature - (??C)-55~150
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
кол-во в упаковке140
Maximum Power Dissipation - (mW)4100
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)21
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)21@10VI11@4.5V
Maximum Gate Source Voltage - (V)??25
Maximum Drain Source Voltage - (V)30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1180 pF @ 15 V
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)2.3
Operating Temperature ClassificationMilitary
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Maximum Continuous Drain Current - (A)13
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)1180@15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A(Tc)
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)16.5@10V
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)15mΩ@10V

Техническая документация