AON7804, Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 30В, 14А, 7Вт, DFN3x3A DUAL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017538641
- Артикул
- AON7804
- Бренд
- Alpha & Omega
- Case
- DFN3x3A DUAL
- Version
- ESD
- Military
- No
- Mounting
- SMD
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой AON7804 производства ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Этот полевой транзистор способен выдерживать ток стока до 14 А и напряжение сток-исток до 30 В, что делает его подходящим для широкого спектра применений. С номинальной мощностью в 7 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,021 Ом, AON7804 обеспечивает эффективную работу и повышенную надежность в различных электронных схемах. Компактный корпус DFN8 также способствует легкой интеграции в печатные платы. Ищите AON7804 для решений, требующих высокой производительности и оптимальной эффективности. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 14 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 7 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.021 Корпус DFN8
Технические параметры
| Case | DFN3x3A DUAL |
| Version | ESD |
| Military | No |
| Mounting | SMD |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | Unknown |
| Вес, г | 0.06 |
| Gate charge | 7.5nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Polarisation | unipolar |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Drain current | 14A |
| Kind of channel | enhancement |
| Supplier Package | DFN EP |
| Power dissipation | 7W |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 21mΩ |
| Drain-source voltage | 30V |
| Standard Package Name | DFN |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 17000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 15 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 15@10VI7.5@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 22 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 740@15V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 21@10V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |