Моя заявка (0)

AON6278, Транзистор N-MOSFET, полевой, 80В, 66А, 83Вт, DFN5x6

AON6278, Транзистор N-MOSFET, полевой, 80В, 66А, 83Вт, DFN5x6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017544845
Артикул
AON6278
Бренд
Alpha & Omega
Type
N Channel
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 150,17 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

80 В 85 А 3.3mOhm@10V,207,4 Вт 3.3V@250uA N-канальные МОП-транзисторы PDFN-8(5.8x4.9), соответствующие требованиям ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerSMD, Flat Leads
Vgs(th) (Max) @ Id3.3V @ 250µA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Power Dissipation (Pd)7.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3mOhm @ 20A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)7.4W(Ta), 208W(Tc)
Supplier Device Package8-DFN(5x6)
Drain Source Voltage (Vdss)80V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs86 nC @ 10 V
Continuous Drain Current (Id)85A
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)3.3V@250uA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4646 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C34A(Ta), 85A(Tc)
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)3.3mΩ@10V, 20A
Пороговое напряжение на затворе3.3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А66
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт83
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.3mΩ@10V, 20A

Техническая документация