Моя заявка (0)

AOB414, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 36А, 75Вт, TO263

AOB414, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 36А, 75Вт, TO263

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070600425
Артикул
AOB414
Бренд
Alpha & Omega
Case
TO263
FET Type
N-Channel
Mounting
SMD
Vgs (Max)
±25V
Цена по запросу
(от 173,09 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 100 В 6,6 А (Ta), 51 А (Tc), 2,5 Вт (Ta), 150 Вт (Tc) для поверxностного монтажа TO-263 (D2PAK)

Технические параметры

CaseTO263
FET TypeN-Channel
MountingSMD
Vgs (Max)±25V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Gate charge28nC
ManufacturerALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Polarisationunipolar
Drain current36A
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB
Kind of channelenhanced
Power dissipation75W
Type of transistorN-MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±25V
On-state resistance25mΩ
Drain-source voltage100V
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 20A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)2.5W(Ta), 150W(Tc)
Supplier Device PackageTO-263(D2PAK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.6A(Ta), 51A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А36
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт75
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В