AO4447A, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -13А, 2Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017538586
- Артикул
- AO4447A
- Бренд
- Alpha & Omega
- Case
- SO8
- Military
- No
- Mounting
- SMD
- Packaging
- Tape and Reel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой AO4447A от ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR - высокоэффективный N-MOSFET, предназначенный для SMD-монтажа. Этот компонент обладает током стока 13 А и напряжением сток-исток 30 В, обеспечивая при этом мощность 2 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,007 Ом, что гарантирует его высокую проводимость и эффективность при минимальных потерях мощности. Компактный корпус SO8 позволяет использовать его в ограниченных пространствах. Используя AO4447A в своих проектах, вы получаете надежное и долговечное решение для различных электронных применений. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 13 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 2 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.007 Корпус SO8
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Military | No |
| Mounting | SMD |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | Unknown |
| Вес, г | 0.2 |
| Gate charge | 41nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | unipolar |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Drain current | -13A |
| Kind of channel | enhanced |
| Supplier Package | SOIC |
| Power dissipation | 2W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 7mΩ |
| Drain-source voltage | -30V |
| Standard Package Name | SOP |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 3100 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 93 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 93@10VI46@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 18.5 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 5020@15V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 5.8@10V |
| Крутизна характеристики, S | 65 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |