AO3423, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -2А, 900мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069400892
- Артикул
- AO3423
- Бренд
- Alpha & Omega
- HTS
- 8541.29.00.95
- PPAP
- Unknown
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой AO3423 от производителя ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR - это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа на поверхность (SMD). Этот транзистор характеризуется стоковым током в 2 А и напряжением сток-исток до 20 В, обеспечивая при этом мощность до 0,9 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,092 Ом, что гарантирует его эффективную работу в различных электронных схемах. Упакованный в компактный корпус SOT-23-3, AO3423 идеально подходит для использования в мобильных устройствах, бытовой электронике и других применениях, где требуется надежное управление мощностью. Ищите этот транзистор в каталоге под уникальным идентификатором AO3423 и обеспечьте своим проектам стабильность и долговечность. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 2 Напряжение сток-исток, В 20 Мощность, Вт 0.9 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.092 Корпус SOT-23-3
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| PPAP | Unknown |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Unknown |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.06 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Корпус | sot23 |
| Configuration | Single |
| Package Width | 1.6 |
| Package Height | 1 |
| Package Length | 2.9 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Fall Time (ns) | 8 |
| Typical Rise Time (ns) | 5.5 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1400 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 3.2@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 22 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 325@10V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 92@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |