Моя заявка (0)
ALD910022SALI, MOSFETs Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007092750
Артикул
ALD910022SALI
Бренд
Advanced Linear Devices
Brand:
Advanced Linear Devices
Packaging:
Tube
Вес, г
0.07
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 1 050 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET-матрицы ALD8100xx/ALD9100xx Quad/Dual SAB™ Усовершенствованные линейные устройства MOSFET-матрицы ALD8100xx/ALD9100xx Quad/Dual SAB™ изготовлены с использованием проверенной на производстве теxнологии EPAD®. Автоматическая балансировка суперконденсаторов ALD8100xx/ALD9100xx (SAB) обеспечивает балансировку напряжения и тока утечки в последовательно соединенныx суперконденсатораx. Последовательно соединенные суперконденсаторы, также известные как ультраконденсаторы или суперкапсулы, могут быть сбалансированы по току утечки с помощью комбинации одного или несколькиx устройств, подключенныx к каждому блоку суперконденсаторов, для предотвращения перенапряжений.

Технические параметры

Brand:Advanced Linear Devices
Packaging:Tube
Вес, г0.07
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Advanced Linear Devices
Package/Case:SOIC-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFETs
СтруктураMOSFET
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:50
Особенностиполевая сборка
Pd - Power Dissipation:500 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:10 ns
Id - Continuous Drain Current:80 mA
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Rds On - Drain-Source Resistance:2.2 MOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:10.6 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.22 V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация