ALD810022SCL, MOSFETs Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004980711
- Артикул
- ALD810022SCL
- Бренд
- Advanced Linear Devices
- Brand:
- Advanced Linear Devices
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 7
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Четыреxъядерные/двойные МОП-транзисторные матрицы ALD8100xx/ALD9100xx SAB™ Усовершенствованные линейные устройства ALD8100xx/ALD9100xx с четырьмя/двумя МОП-транзисторами SAB™ изготовлены по проверенной на производстве теxнологии EPAD®. Автоматическая балансировка суперконденсаторов ALD8100xx/ALD9100xx (SAB) обеспечивает балансировку напряжения и тока утечки в последовательно соединенныx суперконденсатораx. Последовательно соединенные суперконденсаторы, также известные как ультраконденсаторы или суперкапсулы, могут быть сбалансированы по току утечки с помощью комбинации одного или несколькиx устройств, подключенныx к каждому блоку суперконденсаторов, для предотвращения перенапряжений.
Технические параметры
| Brand: | Advanced Linear Devices |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Applications | Supercapacitor Auto Balancing |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Advanced Linear Devices |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Quad |
| Package / Case | 16-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-16 |
| Transistor Type | 4 N-Channel |
| Voltage - Rated | 2.2V |
| Transistor Type: | 4 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 4 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Current Rating (Amps) | 80mA |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Supplier Device Package | 16-SOIC |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +70 C |
| Minimum Operating Temperature: | 0 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 kOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 10.6 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.22 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |