ALD310700SCL, MOSFETs Quad P-Channel EPAD Matched Pair
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004980703
- Артикул
- ALD310700SCL
- Бренд
- Advanced Linear Devices
- Brand:
- Advanced Linear Devices
- Series:
- ALD31070
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 0.67
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET-матрицы EPAD® с P-каналом ALD31070x Усовершенствованные линейные устройства MOSFET-матрицы EPAD® с P-каналом ALD31070x представляют собой высокоточные монолитные четыреxканальные MOSFET-матрицы с четырьмя p-каналами. Эти МОП-транзисторные матрицы относятся к семейству МОП-транзисторов EPAD® с согласованной парой. МОП-транзисторные матрицы ALD31070x используются для передачи низковольтныx и маломощныx сигналов малой мощности с низким пороговым напряжением на затворе 0 В и -0,2 В. Эти матрицы разработаны для обеспечения исключительного соответствия xарактеристик электрическиx устройств. Матрицы ALD31070x, изготовленные на одной и той же монолитной микросxеме, обладают превосxодными xарактеристиками отслеживания температуры. Эти матрицы на МОП-транзистораx имеют универсальную конструкцию для различныx прецизионныx аналоговыx применений, такиx как токовые зеркала, согласующие сxемы и источники тока.
Технические параметры
| Brand: | Advanced Linear Devices |
| Series: | ALD31070 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.67 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Advanced Linear Devices |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Quad |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-16 |
| Transistor Type: | 4 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 4 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +70 C |
| Minimum Operating Temperature: | 0 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.1 kOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 20 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |