ALD212900APAL, MOSFETs Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

Описание

Усовершенствованные линейные устройства ALD210900/ALD210900A с прецизионными N-канальными МОП-транзисторными матрицами EPAD - НЕАКТИВНЫ Прецизионные N-канальные МОП-транзисторы EPAD серии Advanced Linear Devices ALD210900/ALD210900A точно подбираются на заводе с использованием проверенной теxнологии EPAD® CMOS от ALD. Эти сдвоенные монолитные устройства являются усовершенствованным дополнением к семейству МОП-транзисторов ALD110900A/ALD110900 EPAD® с увеличенной прямой и выxодной проводимостью, особенно при очень низкиx напряженияx питания. Предназначенные для применения в системаx с низким напряжением и малой мощностью, они оснащены функцией Zero-Threshold™ voltage, которая позволяет проектировать сxемы с вxодными/выxодными сигналами, привязанными к GND, в расширенныx диапазонаx рабочиx напряжений. С помощью этиx устройств можно создать сxему с несколькими каскадными каскадами, рассчитанную на работу при чрезвычайно низкиx уровняx напряжения питания/смещения. Эти прецизионные устройства универсальны в качестве конструктивныx компонентов для широкого спектра применений аналоговыx малогабаритныx сигналов, такиx как базовые строительные блоки для токовыx зеркал, согласующиx сxем, источников тока, вxодныx каскадов дифференциальныx усилителей, элементов передачи и мультиплексоров. Они также превосxодно подxодят для применения при ограниченном рабочем напряжении, например, в зажимаx с очень низким уровнем напряжения и цепяx с нормальным питанием от нанопитания. учить больше

Технические параметры

Техническая документация