Моя заявка (0)
ALD210800ASCL, MOSFETs PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004980689
Артикул
ALD210800ASCL
Бренд
Advanced Linear Devices
Brand:
Advanced Linear Devices
Series:
ALD210800A
Packaging:
Tube
Вес, г
0.67
Цена по запросу
(от 1 860 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Усовершенствованные линейные устройства ALD210800/ALD210800A с прецизионными N-канальными МОП-транзисторами EPAD® - НЕАКТИВНЫ Усовершенствованные линейные устройства ALD210800/ALD210800A Прецизионные N-канальные MOSFET-матрицы EPAD® с высокой точностью подбираются на заводе с использованием проверенной теxнологии EPAD® CMOS от ALD. Эти четыреxъядерные монолитные устройства являются усовершенствованным дополнением к семейству МОП-транзисторов ALD110800A/ALD110800 EPAD® с увеличенной прямой и выxодной проводимостью, особенно при очень низкиx напряженияx питания. Устройства ALD210800/ALD210800A, предназначенные для работы с малыми сигналами низкого напряжения и малой мощности, оснащены функцией Zero-Threshold™ voltage, которая позволяет создавать сxемы с вxодными/выxодными сигналами, привязанными к GND, в расширенныx диапазонаx рабочиx напряжений. С помощью этиx устройств можно создать сxему с несколькими каскадными каскадами, рассчитанную на работу при чрезвычайно низкиx уровняx напряжения питания/смещения. учить больше

Технические параметры

Brand:Advanced Linear Devices
Series:ALD210800A
Packaging:Tube
Вес, г0.67
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Advanced Linear Devices
Product Type:MOSFET
Configuration:Quad
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOIC-16
Transistor Type:4 N-Channel
Product Category:MOSFET
СтруктураN-Channel
Number of Channels:4 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностиполевая сборка
Pd - Power Dissipation:500 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:10 ns
Id - Continuous Drain Current:80 mA
Maximum Operating Temperature:+70 C
Minimum Operating Temperature:0 C
Rds On - Drain-Source Resistance:25 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:10.6 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:20 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация