ALD110900ASAL, MOSFETs Dual EPAD(R) N-Ch
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038683524
- Артикул
- ALD110900ASAL
- Бренд
- Advanced Linear Devices
- Family
- FETs-Arrays
- Series
- EPAD®, Zero Threshold™
- Category
- Discrete Semiconductor Products
- FET Type
- 2 N-Channel(Dual)Matched Pair
Цена по запросу
(от 1 650 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 2N-CH 10,6 В 8ЗВУКОВОЙ
Технические параметры
| Family | FETs-Arrays |
| Series | EPAD®, Zero Threshold™ |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| FET Type | 2 N-Channel(Dual)Matched Pair |
| Packaging | Tube |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | Standard |
| Other Names | 1014-1031 |
| Power - Max | 500mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Online Catalog | N-Channel Standard FETs |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Standard Package | 50 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 10mV @ 1µA |
| Структура | N-Channel |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 4V |
| Особенности | полевая сборка |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |