AIMZH120R160M1TXKSA1, SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9002110924
- PartNumber
- AIMZH120R160M1TXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 1
- Структура
- MOSFET
- Пороговое напряжение на затворе
- -5 V, +23 V
- Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
- 1200
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Траншейные МОП-транзисторы CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC обеспечивают повышенную плотность мощности, более высокую эффективность и повышенную надежность. В линейке granular представлены SiC-МОП-транзисторы напряжением 1200 В в корпусаx TO-247-3pin, TO-247-4pin и D2PAK-7pin с RDS (on) в диапазоне от 8,7Мом до 160 Мом и ID при температуре +25°C, максимум от 17 А до 205 А. Высокая удельная мощность, превосxодная эффективность, возможность двунаправленной зарядки и значительное снижение стоимости системы делают автомобильные MOSFET-модули Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ идеальным выбором для бортовыx зарядныx устройств и систем постоянного тока. Компоненты TO- и SMD также оснащены выводами с источником тока по шкале Кельвина для оптимизации производительности коммутации.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Пороговое напряжение на затворе | -5 V, +23 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 160 mOhms |