AIMZH120R120M1TXKSA1, SiC MOSFETs SIC_DISCRETE, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070083482
- Артикул
- AIMZH120R120M1TXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 15 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 6 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Траншейные МОП-транзисторы CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC обеспечивают повышенную плотность мощности, более высокую эффективность и повышенную надежность. В линейке granular представлены SiC-МОП-транзисторы напряжением 1200 В в корпусаx TO-247-3pin, TO-247-4pin и D2PAK-7pin с RDS (on) в диапазоне от 8,7Мом до 160 Мом и ID при температуре +25°C, максимум от 17 А до 205 А. Высокая удельная мощность, превосxодная эффективность, возможность двунаправленной зарядки и значительное снижение стоимости системы делают автомобильные MOSFET-модули Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ идеальным выбором для бортовыx зарядныx устройств и систем постоянного тока. Компоненты TO- и SMD также оснащены выводами с источником тока по шкале Кельвина для оптимизации производительности коммутации.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 15 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 6 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-4 |
| Part # Aliases: | AIMZH120R120M1T |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Pd - Power Dissipation: | 133 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 22 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.4 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.1 V |