AIMZH120R080M1TXKSA1, TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048222789
- Артикул
- AIMZH120R080M1TXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Grade
- Automotive
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +23V, -5V
- Technology
- SiCFET(Silicon Carbide)
Цена по запросу
(от 1 730 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 1200 В 31 А (Tc) 169 Вт (Tc) со сквозным отверстием PG-TO247-4-11
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +23V, -5V |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 6.1 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.1V @ 3.3mA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 20V |
| Power Dissipation (Max) | 169W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4-11 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 20 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 671 pF @ 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V, 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A(Tc) |