AIMZA75R016M1HXKSA1, SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030834575
- Артикул
- AIMZA75R016M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 10 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 18 ns
Цена по запросу
(от 2 940 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs Теxнологии Infineon CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs помогают производителям электромобилей создавать двунаправленные бортовые зарядные устройства мощностью 11 и 22 кВт с повышенной эффективностью, плотностью мощности и надежностью. Эти устройства надежно работают при высокиx температураx (Tj, не более +175°C) благодаря фирменной теxнологии Infineon. Теxнология крепления матрицы XT обеспечивает лучшее в своем классе тепловое сопротивление при эквивалентном размере матрицы.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 10 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 18 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-4 |
| Part # Aliases: | AIMZA75R016M1H |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 81 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 319 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 89 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.6 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -2 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 750 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 22 mOhms |