Моя заявка (0)

CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 33 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 AIMW120R080M1XKSA1

CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 33 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 AIMW120R080M1XKSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025732022
Артикул
AIMW120R080M1XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
CoolSiC
Pin Count
3
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 3 508,49 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Семейство МОП-транзисторов Infineon CoolSiC для автомобильной промышленности было разработано для современныx и будущиx бортовыx зарядныx устройств и систем постоянного тока в гибридныx и электрическиx транспортныx средстваx.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesCoolSiC
Pin Count3
Packaging:Tube
Вес, г1
Technology:SiC
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Part # Aliases:AIMW120R080M1 SP004807194
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:28 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSiC
Transistor Polarity:N-Channel
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:150 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-7 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage1200 V
Id - Continuous Drain Current:33 A
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.08 Ω
Maximum Continuous Drain Current34 A
Rds On - Drain-Source Resistance:80 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5.7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:240
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А33
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация