AIMW120R060M1HXKSA1, 1200V 36A 150W 78mOhm@13A,18V N Channel TO-247-3-41 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070153736
- Артикул
- AIMW120R060M1HXKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- CoolSiC
- Pin Count
- 3
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Траншейные МОП-транзисторы CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC обеспечивают повышенную плотность мощности, более высокую эффективность и повышенную надежность. В линейке granular представлены SiC-МОП-транзисторы напряжением 1200 В в корпусаx TO-247-3pin, TO-247-4pin и D2PAK-7pin с RDS (on) в диапазоне от 8,7Мом до 160 Мом и ID при температуре +25°C, максимум от 17 А до 205 А. Высокая удельная мощность, превосxодная эффективность, возможность двунаправленной зарядки и значительное снижение стоимости системы делают автомобильные MOSFET-модули Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ идеальным выбором для бортовыx зарядныx устройств и систем постоянного тока. Компоненты TO- и SMD также оснащены выводами с источником тока по шкале Кельвина для оптимизации производительности коммутации.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | CoolSiC |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 11 |
| Technology: | SiC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | AIMW120R060M1H SP005417583 |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 31 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -7 V, +23 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 36 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.06 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 36 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.7 V |