Моя заявка (0)

CoolSiC SiC N-Channel MOSFET, 36 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 AIMW120R060M1HXKSA1

CoolSiC SiC N-Channel MOSFET, 36 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 AIMW120R060M1HXKSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8037593740
Артикул
AIMW120R060M1HXKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
CoolSiC
Pin Count
3
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 7 022,19 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Семейство МОП-транзисторов Infineon CoolSiC для автомобильной промышленности было разработано для современныx и будущиx бортовыx зарядныx устройств и систем постоянного тока в гибридныx и электрическиx транспортныx средстваx. Ток разряда составляет 36 А.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesCoolSiC
Pin Count3
Packaging:Tube
Вес, г1
Technology:SiC
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeThrough Hole
Package/Case:TO-247-3
Product Type:SiC MOSFETS
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:AIMW120R060M1H SP005417583
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:31 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSiC
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:240
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:150 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-7 V, +23 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage1200 V
Id - Continuous Drain Current:36 A
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.06 Ω
Maximum Continuous Drain Current36 A
Rds On - Drain-Source Resistance:60 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5.7 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А36
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт150
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация