Моя заявка (0)

AIMW120R045M1XKSA1, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 36А, Idm: 130А, 114Вт

AIMW120R045M1XKSA1, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 36А, Idm: 130А, 114Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070246450
Артикул
AIMW120R045M1XKSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
3
Вес, г
6.13
Серия
AIMW120R045
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 2 804,97 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор DISCRETE SWITCHES

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г6.13
СерияAIMW120R045
Channel TypeN
Package TypeTO-247
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
ТехнологияSiC
Вид монтажаThrough Hole
Время спада13 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-247-3
Maximum Drain Source Voltage1200 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора57 nC
Время нарастания32 ns
Maximum Continuous Drain Current52 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности228 W
Другие названия товара №AIMW120R045M1 SP002472666
Id - непрерывный ток утечки52 A
Коммерческое обозначениеCoolSiC
Размер фабричной упаковки240
Vgs - напряжение затвор-исток7 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток59 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток1.2 kV
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения17 ns
Типичное время задержки при включении9 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5.7 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.11.1 S

Техническая документация