AIMW120R045M1XKSA1, SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006267403
- Артикул
- AIMW120R045M1XKSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Серия
- AIMW120R045
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 3 690 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 36А, Idm: 130А, 114Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Серия | AIMW120R045 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 13 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 57 nC |
| Время нарастания | 32 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 52 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 228 W |
| Другие названия товара № | AIMW120R045M1 SP002472666 |
| Id - непрерывный ток утечки | 52 A |
| Коммерческое обозначение | CoolSiC |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 7 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 59 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.7 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11.1 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |