AIMBG120R080M1XTMA1, TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049584369
- Артикул
- AIMBG120R080M1XTMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- AIMBG120R080
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 2.01
Цена по запросу
(от 1 960 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули CoolSiC™ напряжением 1200 В Модули Infineon Technologies напряжением 1200 В CoolSiC™ - это модули на МОП-транзистораx из карбида кремния (SiC), которые обеспечивают высокий уровень эффективности и гибкости системы. Эти модули оснащены цепями, близкими к пороговым значениям (NTC), и контактной теxнологией PressFIT. Модули CoolSiC отличаются высокой плотностью тока, лучшими в своем классе потерями при переключении и проводимости, а также низкой индуктивностью. Эти модули обеспечивают высокочастотную работу, повышенную удельную мощность и оптимизированное время цикла разработки и стоимость.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | AIMBG120R080 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 2.01 |
| No. of Pins | 7Pins |
| Technology: | SiC |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Range | CoolSiC Trench Series |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO263-7 |
| Part # Aliases: | AIMBG120R080M1 SP005411515 |
| Product Category: | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Case Style | TO-263 |
| Pd - Power Dissipation: | 714 W |
| Drain Source Voltage Vds | 1.2kV |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Continuous Drain Current Id | 30A |
| MOSFET Module Configuration | Single |
| Id - Continuous Drain Current: | 27 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 5.1V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 20 |