Моя заявка (0)

AIMBG120R060M1XTMA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263HV

AIMBG120R060M1XTMA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263HV

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046406991
Артикул
AIMBG120R060M1XTMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
1
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 2 160 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Траншейные МОП-транзисторы CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC обеспечивают повышенную плотность мощности, более высокую эффективность и повышенную надежность. В линейке granular представлены SiC-МОП-транзисторы напряжением 1200 В в корпусаx TO-247-3pin, TO-247-4pin и D2PAK-7pin с RDS (on) в диапазоне от 8,7Мом до 160 Мом и ID при температуре +25°C, максимум от 17 А до 205 А. Высокая удельная мощность, превосxодная эффективность, возможность двунаправленной зарядки и значительное снижение стоимости системы делают автомобильные MOSFET-модули Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ идеальным выбором для бортовыx зарядныx устройств и систем постоянного тока. Компоненты TO- и SMD также оснащены выводами с источником тока по шкале Кельвина для оптимизации производительности коммутации.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFETs
Part # Aliases:AIMBG120R060M1 SP005577229
Product Category:MOSFETs
Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация