AIKBE50N65RF5ATMA1, TO-263-7 Single IGBTs RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070183627
- Артикул
- AIKBE50N65RF5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 1
- Technology:
- SiC
Цена по запросу
(от 1 333,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Гибридные IGBT CoolSiC™ от Infineon Technologies Гибридные IGBT CoolSiC™ от Infineon Technologies сочетают в себе быстропереключаемый IGBT-транзистор TRENCHSTOP™ 5 (биполярный транзистор с изолированным затвором) напряжением 650 В и диод Шоттки CoolSiC™. Эти устройства оптимизированы таким образом, чтобы обеспечить экономичное повышение производительности при быстром переключении автомобильныx приложений.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TO263-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | AIKBE50N65RF5 |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 326 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 4.8 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 50 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.03 V |