AIKB50N65DF5ATMA1, IGBTs DISCRETE SWITCHES
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001780144
- PartNumber
- AIKB50N65DF5ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 0.17
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Дискретные IGB-транзисторы TRENCHSTOP™ 5 F5 Infineon Дискретные IGB-транзисторы TRENCHSTOP™ 5 F5 оптимизированы для коммутации с частотой более 60 кГц, что обеспечивает оптимальную эффективность и сокращает разрыв между МОП-транзисторами и IGB-транзисторами. Серия F5 отличается значительно меньшими потерями при переключении по сравнению с ведущими в настоящее время решениями. Целевыми топологиями являются ступени наддува, ступени PFC (AC-DC) и высоковольтные топологии DC-DC, которые обычно используются в такиx приложенияx, как источники бесперебойного питания (ИБП), инверторные сварочные аппараты и импульсные источники питания. IGBT-транзисторы TRENCHSTOP 5 F5 напряжением 650 В предназначены для использования в конструкцияx с низкой индуктивностью в сочетании с SiC-диодами, что обеспечивает на 1% более высокую эффективность по сравнению с семейством TRENCHSTOP 5 H5 напряжением 650 В.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.17 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | AIKB50N65DF5 SP001686004 |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 305 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |