AGM612AP, DFN3X3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017583356
- Артикул
- AGM612AP
- Бренд
- AGM-Semi
- Type
- 1PCSNChannel
- Вес, г
- 0.05
- Структура
- MOSFET
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 30,51 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В, 50 А, 11 Мом при 10 В, 20 А, 78 Вт 1.5V@250uA 1 шт. одноканальныx МОП-транзисторов DFN(3x3) ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 0.05 |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 78W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17nC@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 50A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@10V, 20A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 78 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 11mΩ@10V, 20A |