AGM412MAP, 40V 22A 35W 13m-@10V,15A 2 N-Channel 475pF@15V 13nC@10V -55-~+150-@(Tj) PDFN3x3 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015840138
- Артикул
- AGM412MAP
- Бренд
- AGM-Semi
- Type
- 2 N-Channel
- Вес, г
- 0.07
- Структура
- 2 N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 38 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
40 В 22 А 35 Вт 13 Мом при 10 В, 15 А 2 N-канальныx МОП-транзистора PDFN(3x3) ROHS
Технические параметры
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.07 |
| Структура | 2 N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 35W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 13nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 475pF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 22A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.6V@250uA; 1.7V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 22 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 13mΩ@10V, 15A |