AGM403A1, 40V 120A 105W 2.7m-@10V,20A 2.1V@250uA N Channel 20nC@10V -55-~+150-@(Tj) DFN(5x6) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015856466
- Артикул
- AGM403A1
- Бренд
- AGM-Semi
- Type
- null
- Вес, г
- 0.15
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 40,95 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
40 В 120 А 105 Вт 2.7mOhm@10V,20 A 2.1V@250uA N-канальные полевые транзисторы DFN(5x6) ROHS
Технические параметры
| Type | null |
| Вес, г | 0.15 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 105W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 20nC@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Continuous Drain Current (Id) | 120A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.7mΩ@10V, 20A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 403 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 105 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.7mΩ@10V, 20A |