AGM311MAP, 30V 25A 12.5W 10.5m-@10V,15A 2 N-Channel 850pF@15V 10nC@10V -55-~+150-@(Tj) DFN(3.3x3.3) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015861176
- Артикул
- AGM311MAP
- Бренд
- AGM-Semi
- Type
- 2 N-Channel
- Вес, г
- 0.08
- Структура
- 2 N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 14,58 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 25 А 12,5 Вт 10.5mOhm@10V,15 2 N-канальныx МОП-транзистора DFN (3.3x3.3), соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.08 |
| Структура | 2 N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 12.5W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10nC@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 850pF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 25A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA;1.5V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 10.5mΩ@10V, 15A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.6V@250uA; 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 12.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10.5mΩ@10V, 15A |