AGM30P110A, DFN5X6 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017583487
- Артикул
- AGM30P110A
- Бренд
- AGM-Semi
- Type
- 1PCSPChannel
- Вес, г
- 0.15
- Корпус
- DFN5x6
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 77,93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 138 А 2.9mOhm@10V,20 138 Вт 1.6V@250uA 1-канальные полевые транзисторы DFN(5x6) ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSPChannel |
| Вес, г | 0.15 |
| Корпус | DFN5x6 |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 138W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 150nC@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.2nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 138A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.9mΩ@10V, 20A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.6V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 138 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.9mΩ@10V, 20A |