AGM30P10AP, 30V 23A 11mOhm@-10V,-20A 37W 2.1V@250uA P Channel 22nC@-10V -55°C~+150°C@(Tj) DFN(3.3x3.3) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015905451
- Артикул
- AGM30P10AP
- Бренд
- AGM-Semi
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.07
- Структура
- P-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 25,54 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 23 А 11 Мом при-10 В,-20 А 37 Вт 2.1V@250uA P-канальные полевые транзисторы DFN(3.3x3.3) ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.07 |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 37W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 22nC@-10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Continuous Drain Current (Id) | 23A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 37 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 11mΩ@-10V, -20A |