AGM30P08AP, DFN3X3 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017583419
- Артикул
- AGM30P08AP
- Бренд
- AGM-Semi
- Type
- 1PCSPChannel
- Вес, г
- 0.07
- Структура
- MOSFET
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 25,55 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 60 А 7.4mOhm@10V,2050 Вт 1.6V@250uA 1-канальные полевые транзисторы DFN(3x3) ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSPChannel |
| Вес, г | 0.07 |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 50W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 32nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.497nF@30V |
| Continuous Drain Current (Id) | 60A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.6V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.4mΩ@10V, 20A |