AGM307MBP, 30V 28A 24W 7m-@10V,20A 1.6V@250uA 2 N-Channel 830pF@15V 19nC@10V -55-~+150-@(Tj) WQFN3x3 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015836728
- Артикул
- AGM307MBP
- Бренд
- AGM-Semi
- Type
- 2 N-Channel
- Вес, г
- 0.08
- Структура
- 2 N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 64 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 28 А 24 Вт 7 моМ при 10 В, 20 А 1.6V@250uA 2 N-канальныx МОП-транзистора WQFN(3x3) ROHS
Технические параметры
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.08 |
| Структура | 2 N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 24W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 19nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 830pF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 28A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.6V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 24 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7mΩ@10V, 20A |