AGM306AP, 30V 46A 45W 5.7m-@10V,20A 2.2V@250uA N Channel 12.8nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) DFN(3.3x3.3) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015886909
- Артикул
- AGM306AP
- Бренд
- AGM-Semi
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.07
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 19,19 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В, 46 А, 45 Вт 5.7mOhm@10V,20A 2.2V@250uA N-канальные полевые транзисторы DFN (3.3x3.3) ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.07 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 45W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 12.8nC@4.5V |
| Continuous Drain Current (Id) | 46A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 306 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5.7mΩ@10V, 20A |