AGM210MAP, Транзистор, N/P-MOSFET, 20В, 25А, 35/30.8Вт, 0.01/0.013Ом [PDFN-8_3.3x3.3.]
![AGM210MAP, Транзистор, N/P-MOSFET, 20В, 25А, 35/30.8Вт, 0.01/0.013Ом [PDFN-8_3.3x3.3.]](https://static.epl-electro.ru/lib/372/DOC060372757.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9001746102
- Артикул
- AGM210MAP
- Бренд
- AGM-Semi
- Вес, г
- 0.5
- Структура
- MOSFET
- Пороговое напряжение на затворе
- 1.6V@250uA
- Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
- 0.21
Цена по запросу
(от 20,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.5 |
| Структура | MOSFET |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.6V@250uA |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.21 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |