Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024987267
Артикул
AGM18N10D
Бренд
AGM-Semi
Вес, г
0.38
Корпус
TO-252
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
30W
Цена по запросу
(от 44 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.38
КорпусTO-252
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)30W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)22.5nC@10V
Continuous Drain Current (Id)40A
Пороговое напряжение на затворе1.6V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)16mΩ@10V, 12A