Моя заявка (0)

AGM056N10A, 100V 100A 4.7mOhm@10V,20A 123W N Channel DFN(5x6) MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015918165
Артикул
AGM056N10A
Бренд
AGM-Semi
Type
N Channel
Вес, г
0.14
Структура
N-Channel
Power Dissipation (Pd)
123W
Цена по запросу
(от 112,79 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

100 В 100 А 4.7mOhm@10V,20 123 Вт 2.5V@250uA N-канальные полевые транзисторы DFN(5x6) ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Вес, г0.14
СтруктураN-Channel
Power Dissipation (Pd)123W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)43nC@10V
Continuous Drain Current (Id)100A
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт123
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.7mΩ@10V, 20A