Моя заявка (0)

AG502EGD3HRBTL,Power MOSFET, P Channel, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

AG502EGD3HRBTL,Power MOSFET, P Channel, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046493293
Артикул
AG502EGD3HRBTL
Бренд
Rohm
Brand
ROHM
Series
AG502EG
Pin Count
3
Mount Type
Surface
Цена по запросу
(от 460 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы ROHM автомобильного класса соответствуют стандарту AEC-Q101. Они идеально подxодят для автомобильныx систем. Эти МОП-транзисторы прошли 100-процентные лавинные испытания.

Технические параметры

BrandROHM
SeriesAG502EG
Pin Count3
Mount TypeSurface
Вес, г0.01
Package TypeTO-252
Product TypeSingle MOSFETs
КорпусTO-252
Forward Voltage Vf1.2V
СтруктураP-Channel
Automotive StandardAEC-Q101
Standards/ApprovalsRoHS Compliant
Особенности-
Maximum Power Dissipation Pd77W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs48.0nC
Maximum Operating Temperature175°C
Minimum Operating Temperature-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs20 V
Maximum Drain Source Voltage Vds-40V
Maximum Continuous Drain Current Id68A
Maximum Drain Source Resistance Rds13.1mΩ
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А68
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0131 Ом

Техническая документация