Моя заявка (0)

AG502EED3HRBTL,Power MOSFET, P Channel, 30 V, 78 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

AG502EED3HRBTL,Power MOSFET, P Channel, 30 V, 78 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050712934
Артикул
AG502EED3HRBTL
Бренд
Rohm
Вес, г
0.32
No. of Pins
3Pins
Channel Type
P Channel
Корпус
TO-252
Цена по запросу
(от 440 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.32
No. of Pins3Pins
Channel TypeP Channel
КорпусTO-252
QualificationAEC-Q101
СтруктураP-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleTO-252(DPAK)
Особенности-
Drain Source Voltage Vds30V
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id78A
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А78
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт77W
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)8500µohm

Техническая документация