Моя заявка (0)

AG191FLD3HRBTL,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

AG191FLD3HRBTL,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8059042641
Артикул
AG191FLD3HRBTL
Бренд
Rohm
Вес, г
0.32
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-252
Цена по запросу
(от 284 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.32
No. of Pins3Pins
Channel TypeN Channel
КорпусTO-252
QualificationAEC-Q101
СтруктураN-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleTO-252(DPAK)
Особенности-
Drain Source Voltage Vds60V
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id80A
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт76W
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)7600µohm

Техническая документация