AFV121KHR5, Trans RF MOSFET N-CH 112V 5-Pin NI-1230 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002231007
- Артикул
- AFV121KHR5
- Бренд
- NXP Semiconductor
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Screw
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 191 900 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный MOSFET N-CH 112V 5-контактный NI-1230 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Screw |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 5 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 5 |
| Part Status | Active |
| Maximum VSWR | 20 |
| Configuration | Dual Common Source |
| Package Width | 10.29(Max)mm |
| Package Length | 41.28(Max)mm |
| Supplier Package | NI-1230 |
| Maximum IDSS (uA) | 10 |
| Mode of Operation | Pulse |
| Process Technology | LDMOS |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высокочастотный |
| Maximum Frequency (MHz) | 1215 |
| Minimum Frequency (MHz) | 960 |
| Typical Power Gain (dB) | 19.6 |
| Maximum Output Power (W) | 1410(Typ) |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Drain Efficiency (%) | 59.7 |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | 10 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 112 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.3 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 1000 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 2.5@50V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 112 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |