AFV10700HSR5, Trans RF MOSFET N-CH 105V 5-Pin NI-780S T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002301775
- Артикул
- AFV10700HSR5
- Бренд
- NXP Semiconductor
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 160 810 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный MOSFET N-CH 105V 5-контактный NI-780S T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 5 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 5 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum VSWR | 20 |
| Package Width | 9.91(Max)mm |
| Package Length | 20.7(Max)mm |
| Supplier Package | NI-780S |
| Maximum IDSS (uA) | 10 |
| Process Technology | LDMOS |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высокочастотный |
| Maximum Frequency (MHz) | 1215 |
| Minimum Frequency (MHz) | 960 |
| Typical Power Gain (dB) | 19.2 |
| Maximum Output Power (W) | 700(Typ) |
| Typical Drain Efficiency (%) | 58.5 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 526000 |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | 10 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 105 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.3 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 1000 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 1.16@50V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 105 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |