Моя заявка (0)
AFT27S006NT1, Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002255517
Артикул
AFT27S006NT1
Бренд
NXP Semiconductor
Gain
22dB
Family
Transistors-FETs, MOSFETs-RF
Frequency
2.17GHz
Packaging
Digi-Reel®
Цена по запросу
(от 2 310 ₽)
Минимальный заказ: 13 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

транз: PRF 6W 100 - 3600МГц, 28V , >22.5dB, >20.2%, LDMOS

Технические параметры

Gain22dB
FamilyTransistors-FETs, MOSFETs-RF
Frequency2.17GHz
PackagingDigi-Reel®
Вес, г0.3
Part StatusActive
ManufacturerNXP Semiconductors
Current - Test70mA
Package / CasePLD-1.5W-2
Power - Output28.8dBm
Voltage - Test28V
Transistor TypeLDMOS
Voltage - Rated65V
Standard Package1
СтруктураN-Channel
Особенностивысокочастотный
Supplier Device PackagePLD-1.5W-2
Линейка ПродукцииAFT27S006N
Количество Выводов2вывод(-ов)
Корпус РЧ ТранзистораPLD-1.5W
Напряжение Истока-стока Vds65В
Стиль Корпуса ТранзистораPLD-1.5W
Минимальная Рабочая Частота728МГц
Максимальная Рабочая Частота3700МГц
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В65
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 3-168 часов
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)-

Техническая документация