AFT09MS007NT1, RF FET Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8812961390
- Артикул
- AFT09MS007NT1
- Бренд
- NXP Semiconductor
- HTS
- 8541.29.00.75
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 1 810 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
РЧ полевой транзистор, 30 В DC, 114 Вт, 136 МГц, 941 МГц, PLD-1.5W
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.75 |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.3 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | NRND |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum VSWR | 65 |
| Configuration | Single |
| Package Width | 5.97(Max) |
| Package Height | 1.83(Max) |
| Package Length | 6.73(Max) |
| EDA / CAD Models | AFT09MS007NT1 by Ultra Librarian |
| Output Power (W) | 7.3(Typ) |
| Supplier Package | PLD-1.5W |
| Maximum IDSS (uA) | 10 |
| Mode of Operation | CW |
| Process Technology | LDMOS |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Особенности | высокочастотный |
| Maximum Frequency (MHz) | 941 |
| Minimum Frequency (MHz) | 136 |
| Typical Power Gain (dB) | 15.6(Max) |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Drain Efficiency (%) | 71 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 182000 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 12 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.6 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Typical Forward Transconductance (S) | 9.8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 107@7.5V |
| Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | 56@7.5V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 1 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 2.7@7.5V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | - |