AFT05MS006NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 6 Вт, 7.5 В [PLD-1.5W]
![AFT05MS006NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 6 Вт, 7.5 В [PLD-1.5W]](https://static.epl-electro.ru/lib/801/DOC004801138.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000453804
- Артикул
- AFT05MS006NT1
- Бренд
- NXP Semiconductor
- Вес, г
- 0.3
- Корпус
- PLD-1.5W
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- высокочастотный
Цена по запросу
(от 988 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
транз: PRF 6W 136 - 941МГц, 7.5V , >18.3dB, >73%, LDMOS
Технические параметры
| Вес, г | 0.3 |
| Корпус | PLD-1.5W |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высокочастотный |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Корпус РЧ Транзистора | PLD-1.5W |
| Рассеиваемая Мощность | 128Вт |
| Крутизна характеристики, S | 4.4 |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В DC |
| Минимальная Рабочая Частота | 136МГц |
| Максимальная Рабочая Частота | 941МГц |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 c |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |