AFM906NT1, Trans RF MOSFET N-CH 30V 16-Pin DFN EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002261988
- Артикул
- AFM906NT1
- Бренд
- NXP Semiconductor
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
- Pin Count
- 16
Цена по запросу
(от 451 ₽)
Минимальный заказ: 182 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный ВЧ-МОП-транзистор N-CH 30V с 16-контактным разъемом DFN EP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 16 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 16 |
| Part Status | NRND |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum VSWR | 65 |
| Package Width | 4 |
| Package Length | 6 |
| Output Power (W) | 6.8(Typ) |
| Supplier Package | DFN EP |
| Maximum IDSS (uA) | 2 |
| Mode of Operation | CW |
| Process Technology | LDMOS |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высокочастотный |
| Maximum Frequency (MHz) | 941 |
| Minimum Frequency (MHz) | 136 |
| Typical Power Gain (dB) | 20.3 |
| Typical Drain Efficiency (%) | 70.8 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 65800 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 12 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.6 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Typical Forward Transconductance (S) | 4.4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 68.9@7.5V |
| Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | 39.8@7.5V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |