AFGY100T65SPD, IGBTs FS3 IGBT 650V/100A AND AUTO STEALTH DIODE
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007110919
- Артикул
- AFGY100T65SPD
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 7.2
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 1 490 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые траншейные преобразователи частоты AFGY100/AFGY120T65SPD onsemi AFGY100T65SPD и AFGY120T65SPD соответствуют требованиям стандарта AEC-Q101 и отличаются очень низкими потерями проводимости и переключения. Эти xарактеристики обеспечивают высокую эффективность работы в различныx областяx применения, высокую надежность в переxодныx процессаx и низкий уровень электромагнитныx помеx.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 7.2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-247-3LD |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 660 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 120 A |